특허 네비게이션 | 서울대학교 산학협력단

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기술공개

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첨단소재·나노 > 나노정밀 > 탄소 나노구조
탄소나노튜브 로프 제조방법 및 장치, 탄소나노튜브 로프를 포함하는 냉전자 음극 제조방법, 및 탄소나노튜브 로프 제...

대표 발명자김용협

등록 번호10-1052147

등록일2011-07-20

탄소 나노튜브(Carbon Nano Tube; CNT) 로프(rope)를 제조하기 위한 기술이 제공된다. 소정의 실시예에서, CNT 로프 제조 방법은 금속 팁의 준비, CNT 콜로이드 용액의 준비, CNT 콜로이드 용액으로의 금속 팁 담지, CNT 콜로이드 용액으로부터 금속 팁의 인출 동작을 선택적으로 포함한다.
반도체·전자·디스플레이 > 메모리 반도체 > 메모리 신뢰성 시스템
페이지 버퍼를 쓰기 캐시로 이용하는 플래시 기반 저장 장치 및 이용 방법

대표 발명자박정수

등록 번호10-1030146

등록일2011-04-12

플래시 메모리 기반 저장 장치의 페이지 버퍼를 쓰기 캐시로 이용하는 방법을 제시한다. 플래시 메모리 장치는 읽기, 쓰기 요청 시 임시로 데이터를 저장하기 위한 페이지 버퍼를 포함한다. 제1 쓰기 명령에 대응하는 프로그래밍 동작은 페이지 버퍼에 저장된 데이터를 메모리 셀 어레이로 프로그램한다. 이 때 프로그래밍 동작이 실패할 경우, 플래시 메모리 장치는 제2 쓰기 명령을 수신하고, 제2 쓰기 명령에 대응하는 프로그래밍 동작은 페이지 버퍼에 저장된 데이터를 메모리 셀 어레이로 프로그램한다. 제2 쓰기 명령은 제1 쓰기 명령과 동일한 데이터에 대한 쓰기 명령이므로, ...
반도체·전자·디스플레이 > 메모리 반도체 > 3D 적층 낸드
수직 게이트를 갖는 4비트 메모리 셀 및 이를 이용한 노아 플래시 메모리 어레이와 그 제조방법

대표 발명자박병국

등록 번호10-1030974

등록일2011-04-18

본 발명은 메모리 셀 및 이를 이용한 노아 플래시 메모리 어레이와 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전도성 물질로 형성된 게이트 핀 양측에 각각 전하 저장 공간부를 사이에 두고 사각 기둥 모양의 실리콘 핀이 위치하고 상기 각 실리콘 핀 양단에 제 1 소스/드레인 및 제 2 소스/드레인이 형성된 구조를 가짐으로써, 하나의 게이트로 4비트 셀 동작이 가능한 수직 게이트를 갖는 4비트 메모리 셀 및 이를 이용한 노아 플래시 메모리 어레이와 그 제조방법에 관한 것이다.
바이오·헬스케어 > 디지털 헬스 > 질병 예측 모델
전립선암 진단 방법 및 장치

대표 발명자이학종

등록 번호10-1018665

등록일2011-02-23

본 발명은 환자의 다양한 임상 정보를 입력하여 전립선암으로 의심되는 확률을 출력함으로써 조직 검사 시행 여부 및 전립선암 발병 진단에 도움을 줄 수 있는 암 진단 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 위하여, 본 발명은 하나 이상의 대상자의 임상 정보 수치 및 암 진행 단계 수치를 포함하는 학습 데이터를 분류기에 입력하는 단계; 분류기에서 상기 학습 데이터를 이용하여 의사결정 하이퍼플레인(decision hyperplane)을 생성하는 단계; 검사 대상자의 임상 정보 수치를 분류기에 입력하는 단계; 분류기에서 입력된 검사 대상자의 임상 정보 수치를 이용하여 검사 대상자의 암 진...
AI·소프트웨어 > 머신러닝 > 의료 분석
전립선암 진단 방법 및 장치

대표 발명자이학종

등록 번호10-1018665

등록일2011-02-23

본 발명은 환자의 다양한 임상 정보를 입력하여 전립선암으로 의심되는 확률을 출력함으로써 조직 검사 시행 여부 및 전립선암 발병 진단에 도움을 줄 수 있는 암 진단 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 위하여, 본 발명은 하나 이상의 대상자의 임상 정보 수치 및 암 진행 단계 수치를 포함하는 학습 데이터를 분류기에 입력하는 단계; 분류기에서 상기 학습 데이터를 이용하여 의사결정 하이퍼플레인(decision hyperplane)을 생성하는 단계; 검사 대상자의 임상 정보 수치를 분류기에 입력하는 단계; 분류기에서 입력된 검사 대상자의 임상 정보 수치를 이용하여 검사 대상자의 암 진...
바이오·헬스케어 > 의약품 > 적응증(대사성 질환)
1,2-디티올티온 유도체를 함유하는 엘엑스알-알파 과다발현으로 인한 질병의 예방 및 치료용 약학 조성물

대표 발명자김상건

등록 번호10-1057485

등록일2011-08-10

본 발명은 1,2-디티올티온(1,2-DITHIOLTHIONE) 유도체를 함유하는, LXRα (Liver X receptorα) 또는 SREBP-1(Sterol Response Element Binding Protein)의 과다 활성으로 기인하는 질병의 예방 및 치료에 유용한 약학조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 4-메틸-5-(2-피라지닐)-1,2-디티올-3-티온, 3-메틸-1,2-디티올-3-티온 또는 5-(6-메톡시피라지닐)-4-메틸-1,2-디티올-3-티온 등의 1,2-디티올티온 유도체를 함유하는 약학조성물에 관한 것으로서, 상기 약학조성물은 지방간, 고중성지방혈증, 고레닌혈증, 레닌으로 기인한 고혈압, 알도스테론증, 부신백...
건설·기계 > 기계설비 > 이송 장치
미세구조물 운반 방법 및 시스템

대표 발명자권성훈

등록 번호10-0968490

등록일2010-06-30

내부에 유체가 흐르는 유체관, 및 상기 유체관의 내부에 위치하는 미세구조물을 구비하는 미세구조물 운반 시스템에 있어서, 상기 유체관은 홈 형태의 레일을 구비한다. 상기 미세구조물은 상기 레일을 따라 이동한다. 상기 미세구조물은 돌기 형태의 가이드를 구비한다. 상기 가이드는 상기 미세구조물이 상기 레일을 벗어나지 않도록 한다. 상기 가이드의 일단은 쐐기 형태을 가진다. 상기 쐐기의 첨단은 상기 가이드의 중심에 위치하지 아니하고, 상기 레일의 양 측면들 중 어느 하나의 방향으로 치우친다.
반도체·전자·디스플레이 > 메모리 반도체 > 3D 적층 낸드
고집적 플래시 메모리 셀 소자, 셀 스트링 및 그 제조 방법

대표 발명자이종호

등록 번호10-0973827

등록일2010-07-28

본 발명은 초고집적 플래시 메모리 셀 소자, 셀 스트링 및 그 제조방법에 관한 것이다. 상기 셀 소자는 반도체 기판, 반도체 기판위에 형성된 제1 도우핑 반도체 영역, 상기 제1 도우핑 반도체 영역위에 형성된 제2 도우핑 반도체 영역; 상기 제2 도우핑 반도체 영역위에 순차적으로 형성되는 터널링 절연막, 전하 저장 노드, 컨트롤 절연막 및 제어 전극;을 구비한다. 상기 제1 및 제2 도우핑 반도체 영역은 서로 다른 반도체 유형으로 도핑된 것을 특징으로 한다. 상기 플래시 메모리 셀 스트링은 전술한 구조를 갖는 다수 개의 셀 소자가 일렬로 배열되어 형성되거나 상기 배열된 셀 소자들 및 셀 ...
바이오·헬스케어 > 디지털 헬스 > 뇌 컴퓨터 인터페이스
신경 유저 인터페이스 장치, 방법 및 뇌 활동 측정 장치

대표 발명자김성준

등록 번호10-1028949

등록일2011-04-05

뇌 활동을 분석하여 사용자의 의도를 판단하는 뇌 활동 측정 장치; 및 상기 뇌 활동 측정 장치에서 판단한 사용자가 의도하는 기능을 실행하고 그 결과를 출력하는 인터페이스 부를 포함하고, 상기 뇌 활동 측정 장치는 광자를 대뇌피질에 조사하는 광 조사부; 대뇌피질과의 상호작용 후 인체 외부로 나온 광자를 검출하고 상기 광자의 물리량의 변화를 검출하는 광 검출부; 및 상기 광 검출부에서 검출된 광자의 물리량의 변화를 분석하고 뇌 활동 데이터를 생성하여 사용자의 의도를 판단하는 분석부를 포함하는 신경 유저 인터페이스 장치가 개시된다.본 발명에 따르면, 종래의 기술에서 실시한 수...
반도체·전자·디스플레이 > 메모리 반도체 > 차세대 비휘발성 메모리
저항변화기록소자 및 그 제조방법

대표 발명자황철성

등록 번호10-0989180

등록일2010-10-14

저항변화기록소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 저항변화기록소자는 하부전극과, 하부전극 상에 형성되고 제1금속의 산화물로 이루어진 제1저항변화층을 구비한다. 그리고 제1저항변화층 상에 형성된 전도층과, 전도층 상에 형성되고 제2금속의 산화물로 이루어진 제2저항변화층과, 제2저항변화층 상에 형성된 상부전극을 구비한다. 본 발명에 따르면, 저항변화층에 존재하는 산소 이온의 이동이 양 방향으로 이동하게 되어 사이클 횟수에 따른 소자의 내구성이 개선된다.

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