특허 네비게이션 | 서울대학교 산학협력단

우수한 기술이 국내외 사회 전반에 활용될 수 있는 다양한 기회를 만들어내겠습니다

기술공개

기술공개: SNU_TIP 기술마케팅 기술공개 파트너쉽

특허 네비게이션: 기술이전 소개 특허 네비게이션 기술홍보

이차전지·에너지·환경 > 신재생에너지 > 태양 전지
폴리(3-헥실싸이오펜)과 플러렌 유도체로 이루어진 블록 공중합체와 이의 합성방법

대표 발명자조원호

등록 번호10-1044782

등록일2011-06-21

본 발명은 공여-수용 블록을 포함하는 블록 공중합체와 이를 이용한 고분자 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 블록 공중합체는 P3HT-b-C60의 분자식으로 표현되고, 빛을 흡수하여 전자-정공쌍을 생성시키고 전자를 공여하는 작용을 하는 P3HT 영역과, 전자를 수용하는 작용을 하는 플러렌 유도체 영역으로 이루어진다. 본 발명의 블록 공중합체를 이용한 태양전지용 유기박막은 나노미터-스케일의 상분리가 일어나므로, P3HT 영역에서 발생된 전자-정공쌍이 효율적으로 공여-수용 계면에 도달될 수 있고, 결과적으로 태양전지의 에너지 전환 효율이 증가되는 효과를 가진다.본 ...
첨단소재·나노 > 화학소재 > 광전 변환 소재
폴리(3-헥실싸이오펜)과 플러렌 유도체로 이루어진 블록 공중합체와 이의 합성방법

대표 발명자조원호

등록 번호10-1044782

등록일2011-06-21

본 발명은 공여-수용 블록을 포함하는 블록 공중합체와 이를 이용한 고분자 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 블록 공중합체는 P3HT-b-C60의 분자식으로 표현되고, 빛을 흡수하여 전자-정공쌍을 생성시키고 전자를 공여하는 작용을 하는 P3HT 영역과, 전자를 수용하는 작용을 하는 플러렌 유도체 영역으로 이루어진다. 본 발명의 블록 공중합체를 이용한 태양전지용 유기박막은 나노미터-스케일의 상분리가 일어나므로, P3HT 영역에서 발생된 전자-정공쌍이 효율적으로 공여-수용 계면에 도달될 수 있고, 결과적으로 태양전지의 에너지 전환 효율이 증가되는 효과를 가진다.본 ...
첨단소재·나노 > 화학소재 > 첨단 금속 합금
다강체 물질 및 그 제조 방법

대표 발명자김기훈

등록 번호10-1537037

등록일2015-07-09

다강체 물질 및 그 제조 방법에서, 다강체 물질은 자기성 철 이온이 알루미늄 이온과 같은 비자기성 이온으로 부분적으로 치환된 헥사페라이트를 포함한다. 본 발명에 따르면 다강체 물질은 i) 비자기성 이온의 치환양을 조절하여 전기 분극을 유도하는 자기장의 크기를 제어하고 ii) 작은 자기장에서도 유전 분극을 발생시키며 iii) 유전 분극의 크기도 조절 가능하고 iv) 자기장을 가했을 때 최소 수 퍼센트에서 최대 약 20 퍼센트까지 유전율을 변화시킬 수 있으며 v) 비자기성 이온의 치환양을 조절하여 유전율 변화가 최대가 되는 자기장 범위를 제어할 수 있는...
바이오·헬스케어 > 의약품 > 모달리티(항체)
항 ｐｄ-1 항체 또는 항 ｐｄ-ｌ1 항체를 포함하는 항암제

대표 발명자강창율

등록 번호10-1050829

등록일2011-07-14

본 발명은 항 ＰＤ-1 항체 또는 항 ＰＤ-Ｌ1 항체를 포함하는 항암제에 관한 것으로, 상세하게는 iNKT 세포 리간드 투여로 인해 아네르기가 유도된 iNKT 세포의 반응성을 회복시키는 항 ＰＤ-1 항체 또는 항 ＰＤ-Ｌ1 항체를 포함하는 항암제에 관한 것이다. 본 발명의 항 ＰＤ-1 항체 또는 항 ＰＤ-Ｌ1 항체는 PD-1 또는 PD-L1의 신호 전달을 차단함으로써 iNKT 세포 리간드 투여로 인해 발생하는 iNKT 세포의 아네르기 유도를 막을 수 있고, 이미 아네르기 상태에 있는 iNKT 세포의 경우에도 사이토카인의 분비 능력을 회복시켜 iNKT 세포의 반응성을 회복시키며, B16F10 흑색종 암세포를 이용한 폐전이 ...
반도체·전자·디스플레이 > 메모리 반도체 > 차세대 비휘발성 메모리
비휘발성 기억소자 및 비휘발성 기억소자의 정보기록방법과정보판독방법

대표 발명자황철성

등록 번호10-1021973

등록일2011-03-07

비휘발성 기억소자 및 비휘발성 기억소자의 정보기록방법과 정보판독방법이 개시된다. 본 발명에 따른 비휘발성 기억소자는 하부 전극과 상부 전극 사이에 개재된 메모리층을 구비한다. 메모리층은 강유전체로 이루어지며, 잔류 분극(remanent polarization)의 극성에 따라 정보를 저장하는 정보저장층과, 절연체로 이루어지며, 강유전체가 분극반전되는 경우에는 저항 특성을 나타내고, 강유전체가 분극반전되지 않거나 강유전체가 분극반전 된 후에는 커패시터 특성을 나타내는 스위칭층을 구비한다. 본 발명에 따른 비휘발성 기억소자는 정보의 저장은 강유전체로 이루어진 정보저장층에서 이루어지...
이차전지·에너지·환경 > 신재생에너지 > 수소 생산
높은 표면적, 높은 수소 저장능, 및 향상된 수분 안전성을 갖는 탄소나노튜브와 무기-유기 골격구조체의 복합체 ...

대표 발명자박종래

등록 번호10-1051402

등록일2011-07-18

본 발명은 탄소나노튜브와 다공성 무기-유기 골격구조체(MOFs)와의 새로운 복합체로서, 높은 표면적, 높은 수소 저장능, 및 향상된 수분 안전성을 갖는 복합체에 관한 것이다. 본 발명의 탄소나노튜브와 MOFs와의 복합체는 (a) 탄소나노튜브를 기능화하고 그 기능화된 탄소나노튜브의 분산액을 제조하고, (b) 다공성 무기-유기 골격체(MOFs) 전구체 액에 상기 탄소나노튜브 분산액을 혼합하여 혼합액을 제조하고, (c) 상기 혼합액을 수열반응(hydrothermal reaction) 열처리를 통해 탄소나노튜브와 MOFs와의 복합체를 제조하고, 그리고 (d) 상기 복합체...
첨단소재·나노 > 나노정밀 > 복합 나노소재
높은 표면적, 높은 수소 저장능, 및 향상된 수분 안전성을 갖는 탄소나노튜브와 무기-유기 골격구조체의 복합체 ...

대표 발명자박종래

등록 번호10-1051402

등록일2011-07-18

본 발명은 탄소나노튜브와 다공성 무기-유기 골격구조체(MOFs)와의 새로운 복합체로서, 높은 표면적, 높은 수소 저장능, 및 향상된 수분 안전성을 갖는 복합체에 관한 것이다. 본 발명의 탄소나노튜브와 MOFs와의 복합체는 (a) 탄소나노튜브를 기능화하고 그 기능화된 탄소나노튜브의 분산액을 제조하고, (b) 다공성 무기-유기 골격체(MOFs) 전구체 액에 상기 탄소나노튜브 분산액을 혼합하여 혼합액을 제조하고, (c) 상기 혼합액을 수열반응(hydrothermal reaction) 열처리를 통해 탄소나노튜브와 MOFs와의 복합체를 제조하고, 그리고 (d) 상기 복합체...
반도체·전자·디스플레이 > 메모리 반도체 > 3D 적층 낸드
수직 적층된 다중 비트 라인들을 갖는 노아 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법

대표 발명자박병국

등록 번호10-1037649

등록일2011-05-23

본 발명은 실리콘 핀에 수직으로 적층된 다중 비트 라인들을 갖는 노아 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 하나의 비트 라인이 추가될 때마다 2 비트씩 증가함으로써, 노아 어레이에서도 얼마든지 고집적화가 가능한 장점이 있고, 실리콘 핀 양쪽으로 하나로 연결되거나 두 개 이상으로 분리된 불순물 도핑층을 동일 비트 라인으로 함으로써, 종래 실리콘 핀 양쪽에 형성된 비트간의 간섭(PCI) 문제점을 원천적으로 해결할 수 있고, 확산된 불순물 도핑층을 비트 라인으로 사용함으로써, 상하 비트 라인들 간의 비대칭성 문제도 근본적으로 해결할 수 있으며, 각 실리콘 핀의 가장 하...
반도체·전자·디스플레이 > 시스템 반도체 > 화합물·신소재 로직
이중 게이트로 조절되는 다이오드 구조를 포함하는 반도체 장치

대표 발명자박영준

등록 번호10-1481171

등록일2015-01-05

칩 간의 광통신 장치는 발광 소자를 구비하는 제1 칩, 상기 제1 칩과 이격하여 배치되고 광 다이오드를 구비하는 제2 칩을 포함한다. 상기 발광 소자 및 상기 광 다이오드 소자는 적어도 하나 이상의 단위 소자를 포함한다. 상기 단위 소자는 빛을 발생하거나 수렴하는 반도체 영역, 상기 반도체 영역의 좌우 양단에 배치되는 소스 및 드레인 영역 및 상기 반도체 영역의 상하에 각각 배치되고 상기 반도체 영역 내 전자 또는 홀의 분포 상태를 변경시키는 제1 전극 및 제2 전극을 포함한다.
반도체·전자·디스플레이 > 시스템 반도체 > 화합물·신소재 로직
이중 게이트로 조절되는 다이오드 구조를 포함하는 반도체 장치

대표 발명자박영준

등록 번호10-1442800

등록일2014-09-15

적어도 2 이상의 단위 소자의 집합체를 포함하는 반도체 장치가 개시된다. 상기 단위소자는 반도체 영역, 상기 반도체 영역의 좌우 양단에 배치되고 전자 및 홀 중 어느 하나를 제공하거나 수렴하는 소스 및 드레인 영역, 상기 반도체 영역 위에 배치되는 제1 절연체, 상기 제1 절연체 위에 배치되고 상기 반도체 영역의 상부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제1 전극, 상기 반도체 영역 아래에 배치되는 제2 절연체 및 상기 제2 절연체 아래에 배치되고 상기 반도체 영역의 하부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제2 ...

751 752 753 754 755 756 757 758 759 760

관심목록에 추가되었습니다.

관심설정이 해제되었습니다.