특허 네비게이션 | 서울대학교 산학협력단

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기술공개

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첨단소재·나노 > 화학소재 > 기능성 고분자
하이퍼브랜치 폴리머, 이를 포함하는 연료전지용 전극, 이를 포함하는 연료전지용 전해질막 및 이를 채용한 ...

대표 발명자최성우

등록 번호10-1558536

등록일2015-10-01

덴드리틱 유닛, 선형 유닛 및 터미널 유닛을 포함하고, 분지화도(degree of branching)가 0.05 이상 1 이하인 폴리페닐렌계 하이퍼브랜치 폴리머, 이를 포함하는 연료전지용 전극, 연료전지용 전해질막 및 이를 채용한 연료전지가 개시된다.
반도체·전자·디스플레이 > 메모리 반도체 > 3D 적층 낸드
플로팅 바디를 갖는 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 상기셀 소자를 이용한 비휘발성 메모리 셀 스택, 비휘발성 메모...

대표 발명자이종호

등록 번호10-1002293

등록일2010-12-13

본 발명은 플로팅 바디를 갖는 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 비휘발성 메모리 셀 소자 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링, 비휘발성 메모리 셀 스트링 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링 스택 어레이에 관한 것이다. 상기 비휘발성 메모리 셀 스트링은 다수 개의 플로팅 바디를 갖는 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자 및 상기 셀 소자의 끝단에 연결되는 스위칭 소자를 구비한다. 상기 셀 소자 스택은 반도체 기판위에 상기 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자들을 적층하여 구현된다. 상기 셀 스트링 스택은 상기 셀 스트링을 적층하여 구현되며, 상기 셀 스트링 스택을 배열하여 셀 스트링 스택 어레이...
첨단소재·나노 > 나노정밀 > 금속 나노입자
정육면체 또는 팔면체 모양의 페라이트 나노입자 및 그 제조 방법

대표 발명자현택환

등록 번호10-1628948

등록일2016-06-02

본 발명은 정육면체 또는 팔면체 모양의 페라이트 나노입자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 초상자성 또는 페리자성을 띠는 페라이트 나노큐브 또는 팔면체 페라이트 나노입자와 그리고 금속 전구체, 계면활성제 및 용매의 혼합물을 가열하는 단계를 포함하는 페라이트 나노큐브 제조 방법에 대한 것이다.
반도체·전자·디스플레이 > 디스플레이 > 구동 보상 회로
표시 장치 및 그 구동 방법

대표 발명자박종후

등록 번호10-1500623

등록일2015-03-03

표시 장치에서, 변압기의 1차 코일의 제1 단자가 전극에 연결되어 있으며, 변압기의 2차 코일의 제1 단자가 제1 전압을 공급하는 제1 전압 단자에 연결되어 있다. 제1 트랜지스터가 1차 코일의 제2 단자와 제2 전압을 공급하는 제2 전압 단자 사이에 연결되어 있으며, 제2 트랜지스터가 2차 코일의 제2 단자와 제2 전압 단자 사이에 연결되어 있다.
건설·기계 > 계측제어 > 정밀 계측
고온에서의 미세 열용량 측정 장치

대표 발명자김기훈

등록 번호10-1070998

등록일2011-09-29

본 발명은 상온에서 700 K 까지 고온 영역에서 미세 열용량을 측정할 수 있는 장치 및 방법을 제시한다. 측정 장치는 실리콘 니트라이드(silicon-nitride) 박막 마이크로칼로리미터(microcalorimeter) 및 관상 전기로로 구성되어 있다. 더욱 상세하게는, 스테인레스 관으로 이루어진 비열 측정용 프로브(probe)를 제작하되, 그 일단에는 전기 연결선을 구비하고 그 반대편에는 마이크로칼로리미터를 거치할 수 있도록 시료 받침대를 구비하며, 상기 전기 연결선 부분으로부터 소정의 간격을 두고 진공포트를 구비하여 구성됨을 특징으로 한다. 측정 방법은 기존의 열완화법(thermal relaxation)을 개선하여...
건설·기계 > 구조시공 > 터널 시공
연속압출방식의 지중터널 구조물 및 그의 시공방법

대표 발명자조재열

등록 번호10-1025075

등록일2011-03-18

본 발명에서는, 한쪽 육상의 터널입구(101)로부터 지중으로 굴착구(100)를 굴착해 들어가고; 이와 병행하여 육상의 터널입구(101)에 설치된 제작장(2)에서 터널의 노반을 이루는 바닥판 유닛(210)들을 상기 굴착구(100)와는 별개로 제작하여 연속적으로 잇대어 가면서 상기 굴착구(100) 안으로 밀어 넣어 바닥판 구조물(200)을 압출하며, 한쪽 육상의 입구로부터 반대편 육상의 터널출구까지 상기 굴착구(100)와 바닥판 구조물(200)이 관통할 때까지 상기한 굴착공정과 압출공정을 계속 수행하여 굴착구(100) 안에 별개로 제작된 바닥판 구조물(200)이 깔린 형태의 지중터널 구조물을 완성하는 지중터널 및 ...
건설·기계 > 구조시공 > 터널 시공
연속압출공법을 이용한 지중터널 및 그의 시공방법

대표 발명자조재열

등록 번호10-1025071

등록일2011-03-18

본 발명에서는, 한쪽 육상의 터널입구(101)로부터 지중으로 굴착구(100)를 굴착해 들어가고; 이와 병행하여, 육상의 터널입구(101)에 설치된 제작장(2)에서 튜브 터널 유닛(210)들을 상기 굴착구(100)와는 별개로 제작하여 연속적으로 잇대어 가면서 상기 굴착구(100) 안으로 밀어 넣어 튜브 터널 본체(200)를 압출하며, 한쪽 육상의 입구(101)로부터 반대편 육상의 터널출구까지 상기 굴착구(100)와 튜브 터널 본체(200)가 관통할 때까지 상기 굴착구(100)의 굴착과 상기 튜브 터널 본체(200)의 압출을 계속적으로 수행함으로써 상기 굴착구(100) 안에 별개로 제작된 튜브 터널 본체(200)가 굴착구 내벽으로...
반도체·전자·디스플레이 > 메모리 반도체 > 3D 적층 낸드
적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 상기 셀 소자를 이용한 비휘발성 메모리 셀 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링, 비휘...

대표 발명자이종호

등록 번호10-1002297

등록일2010-12-13

본 발명은 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 비휘발성 메모리 셀 소자 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링, 비휘발성 메모리 셀 스트링 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링 스택 어레이에 관한 것이다. 셀 스트링은 다수 개의 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자 및 상기 셀 소자의 끝단에 연결되는 스위칭 소자를 구비한다. 셀 소자 스택은 반도체 기판위에 상기 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자들을 적층하여 구현된다. 상기 셀 스트링 스택은 상기 셀 스트링을 적층하여 구현되며, 상기 셀 스트링 스택을 배열하여 셀 스트링 스택 어레이를 구현한다. 상기 셀 소자 스택은, 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 ...
바이오·헬스케어 > 바이오 센싱 > 스크리닝 시스템
펩타이드?당 결합체를 이용한 당 가수분해 효소에 대한 특이적 저해제 및 이의 스크리닝 방법

대표 발명자유재훈

등록 번호10-1185045

등록일2012-09-17

본 발명은 펩타이드-당 결합체를 이용한 당 가수분해 효소에 대한 특이적 저해제 및 이의 스크리닝 방법에 관한 것으로, 구체적으로 펩타이드-당 기질 라이브러리를 이용하여 표적 당 가수분해 효소에 특이적이고 강력한 결합력을 가진 기질을 선별한 후 이를 이용하여 당 가수분해 효소에 대한 특이적 저해제를 스크리닝하는 방법, 및 상기 방법에 의해 스크링된 당 가수분해 효소 저해제에 관한 것이다. 본 발명의 당 가수분해 효소 저해제는 당 가수분해 효소의 당 결합 부위뿐만 아니라 소수성을 가진 효소 활성 부위로부터 약간 떨어진 부위를 동시에 인식하여 기존의 당 가수분...
첨단소재·나노 > 나노정밀 > 복합 나노소재
Ｃｎｔ/금속 합성 케이블

대표 발명자김용협

등록 번호10-1088835

등록일2011-11-25

탄소나노튜브(CNT)/금속 합성 케이블을 제조하는 방법을 제공한다. 분산된 CNT/금속 용액을 준비하는 단계, 금속 팁을 분산된 CNT/금속 용액에 담그는 단계, 및 금속 팁과 분산된 CNT/금속 용액 사이에 전기장을 인가하면서 분산된 CNT/금속 용액으로부터 금속의 팁을 꺼내는 단계를 포함한다.

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