서울대학교 산학협력단

계산량 감축이 가능한 실내 측위용 초해상도 전파도달시간 추정 방법이 개시된다. 기존의 초해상도 다중경로 지연 프로파일(multipath delay profile: MDP) 추정 방법은 행렬 계산을 이용함으로써 저해상도 MDP의 시간 해상도를 높여주긴 하지만, 행렬 계산량이 MDP의 길이에 따라 엄청나게 늘어나는 문제점이 있다. 측위 시스템들이 최초 경로의 도달시간(time-of-arrival: TOA)만을 필요로 하는 점을 고려한다면, 좁지만 여전히 최초 경로 TOA를 포함하는 MDP의 일부에 대해서만 그 행렬 계산을 적용하는 방법을 통해 계산량 감소가 실현될 수 있다. 본 발명은 의사잡음(PN) 상관 방법으로 나타낸 MDP들...

본 발명의 적어도 일 실시예에 따른 산림시각화 장치 및 방법은 소정 산림의 시간에 따른 임상변화를 소정의 임분생장 시뮬레이션을 통해 예측하고, 수종별로 미리 마련된 3차원 템플릿을 그 예측된 결과를 고려하여 변환하고, 그 산림이 위치한 지형 정보와 그 예측된 결과를 고려하여 그 산림을 그 변환된 템플릿을 이용하여 3차원적으로 시각화함으로써, 특정 시간과 공간에 국한되지 않고 소정 산림의 다양한 변화를 효율적으로 시각화 할 수 있다. 또한 본 발명의 적어도 일 실시예는 산림경영을 둘러싼 다양한 이해관계인들에게 산림경영의 효과를 용이하게 이해시키고 ...

본 발명은 영상 상에서 물체의 외양과 움직임에 따라 물체를 추적하는 방법에 관한 것이다. 영상 상의 물체 추적 방법은 영상 상에서 추적하고자 하는 물체에 대한 복수의 기본 외양 모델과 복수의 기본 움직임 모델을 조합하여 복수의 기본 추적기를 형성하는 단계, 그리고 상기 복수의 기본 추적기를 상호 작용시켜 상기 물체를 추적하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 영상 상에서 물체 추적이 어려운 상황들이 동시에 복합적으로 일어날 때에도 정확한 물체 추적이 가능해진다.

본 발명에서는 다결정 실리콘으로 이루어진 반도체층의 채널 영역에서 발생하는 열을 용이하게 방열할 수 있는 박막 트랜지스터가 개시된다. 일 예로, 기판의 일면에 형성된 반도체층, 게이트 전극, 상기 반도체층과 게이트 전극을 이격시키는 게이트 절연층을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 반도체층은 쌍을 이룬 소스 드레인 영역의 사이에 형성된 채널 영역을 포함하고, 상기 채널 영역은 복수개로 구비되어 상호간에 이격 간격을 갖도록 이격되며, 상기 이격 간격은 서로 다른 적어도 두 종류로 형성된 박막 트랜지스터가 ...

본 발명은 Special Euclidean Group SE(3) 상에서 PSO(Particle Swarm Optimization)을 수행하여 카메라의 포즈를 결정하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 방법은 이전 프레임에서 카메라의 포즈를 나타내는 복수 개의 파티클(particle)과 상기 복수 개의 파티클 각각을 위한 복수 개의 랜드마크를 초기화하는 단계, 현재 프레임에서 상기 복수 개의 랜드마크에 각각 대응하는 복수 개의 코너 포인트를 추출하는 단계, 그리고 상기 추출된 코너 포인트를 이용하여 상기 복수 개의 파티클에 대해 Special Euclidean Group SE(3) 상에서 PSO(Particle Swarm Optimization)을 수행하여 현재 프레임에 ...

나노입자 선 형성방법 및 나노입자 네트워크 형성방법과 이를 이용한 나노구조물 형성방법이 개시된다. 이에 의하면, 구조물이 패턴된 소수성(hydrophobic) 상부기판과 친수성(hydrophilic) 하부기판 사이로 모세관원리에 의해 주입된 콜로이드 용액이 구조물 내부에만 선택적으로 공동(air-cavity)을 형성하고, 용매 증발 때 공동 주변의 용액/공기 경계면들이 서로 수렴하며 콜로이드 입자들이 나열됨으로써 나노입자 선을 제조할 수 있고, 콜로이드 용액이 흐르는 방향과 구조물 안의 공동의 배열에 따라 다양한 나노입자 네트워크를 제조할 수 있으며, 나노입자 네...

본 발명은 실리카-이산화티타늄 중공구조 나노입자를 포함한 전기유변유체의 제조방법에 관한 것으로, 유전상수가 높은 이산화티타늄을 역평행패어링 효과를 감소시키고, 전기장에 반응하는 계면을 증가시키기 위하여 실리카와 혼합하여 중공구조 입자의 외부벽을 이루게 한 실리카-이산화티타늄 중공구조 나노입자를 절연유체에 도입한 후, 분산시켜 전기유변현상이 효율적으로 나타나는 실리카-이산화티타늄 중공구조 나노입자를 포함한 전기유변유체를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 실리카-이산화티타늄 중공구조 나노입자가 이산화티타늄과 실리카가 혼합된 외부벽을 가지고, 이...

본 발명은 제조 공정이 간단하고, 생산성 및 신뢰성이 향상된 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이에 의한 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 절연 기판을 구비하는 기판 구비 단계와, 기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성 단계와, 기판 및 게이트 전극 상부에 게이트 절연막을 형성하는 게이트 절연막 형성 단계와, 게이트 절연막 상부에 반도체층을 증착하는 반도체층 형성 단계와 반도체층 상부에 양성 포토레지스트 및 게이트 전극에 대응하여 패턴이 형성된 마스크를 이용한 사진식각공정으로 보호층을 형성하는 제 1 사진식각단계와, 보호층 및 반도체층 상...

본 발명은 기체 방울을 방생을 줄일 수 있는 미세유동장치 및 그를 이용한 시료 중의 표적물질을 검출하는 방법을 제공한다.

본 발명은 기존의 표면처리용 분사형 대기압 저온플라즈마 발생장치의 단점을 보완하기 위해서 고안된 것으로서, 전극의 냉각을 통해 방전기의 온도를 안정적으로 유지할 수 있도록 하고, 전극의 형태 및 구조 변경을 통하여 플라즈마의 발생영역을 극대화 하고, 분사영역내의 화학적 활성종의 밀도증가 및 활성상태 유지시간 향상을 통하여 충분한 분사거리를 확보할 수 있고, 다수의 전극을 사용하여 대면적의 플라즈마를 발생시켜 대면적 시편의 균일한 처리가 가능하도 플라즈마 발생기를 구성하는 장치에 관한 것이다.